漏极延伸型PMOS晶体管及其制作方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明提供半导体器件(102)和漏极延伸型PMOS晶体管(CT1a)以及其制作方法，其中在n埋入层(108)与晶体管背栅极(126)之间形成p型隔离区(130)，以在不增加外延厚度的情况下增大击穿电压性能。
基本信息
专利标题 ：
漏极延伸型PMOS晶体管及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101111942A
申请号 ：
CN200580047639.4
公开（公告）日 ：
2008-01-23
申请日 ：
2005-12-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
萨米尔·彭德哈卡
申请人 ：
德州仪器公司
申请人地址 ：
美国得克萨斯州
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
王允方
优先权 ：
CN200580047639.4
主分类号 ：
H01L29/76
IPC分类号 ：
H01L29/76
法律状态
2010-01-13 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2008-03-12 ：
实质审查的生效
2008-01-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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