具有带偏移半导体源极/漏极衬垫的高迁移率场效应晶体管
授权
摘要
单片FET包括设置在衬底之上的第一半导体材料中的多数载流子沟道。在诸如栅极堆叠或牺牲栅极堆叠之类的掩模覆盖沟道区时，例如至少在沟道区的漏极端部上生长具有相对于沟道材料的带偏移的半导体材料的半导体衬垫以在沟道半导体和第三III‑V半导体材料的漏极区之间引入至少一个带偏移。在一些N型晶体管实施例中，带偏移是至少0.1eV的导带偏移。更宽带隙和导电偏移中的任一个或二者可能有助于降低的栅极感应漏极泄露（GIDL）。源极/漏极区通过半导体衬垫电气耦合至沟道区，该半导体衬垫可以是基本上未掺杂的（即本征的）或掺杂的。在一些实施例中，将半导体衬垫生长集成到栅极最后、源极/漏极再生长finFET制造工艺中。
基本信息
专利标题 ：
具有带偏移半导体源极/漏极衬垫的高迁移率场效应晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN108028281A
申请号 ：
CN201580083393.X
公开（公告）日 ：
2018-05-11
申请日 ：
2015-09-25
授权号 ：
CN108028281B
授权日 ：
2022-04-15
发明人 ：
G.杜威W.拉赫马迪M.V.梅茨C.S.莫哈帕特拉S.T.马J.T.卡瓦列罗斯A.S.墨菲T.加尼
申请人 ：
英特尔公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
王岳
优先权 ：
CN201580083393.X
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L21/336 H01L21/8238
法律状态
2022-04-15 ：
授权
2018-10-26 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20150925
申请日 : 20150925
2018-05-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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