一种半导体场效应MOSFET二极管
授权
摘要
本实用新型提供一种半导体场效应MOSFET二极管，包括安装架、主体、右引脚、固定引脚和活动引脚，所述主体的两侧对称固定安装有活动板，所述安装架的两侧对称开设有限位滑槽，该半导体场效应MOSFET二极管通过活动引脚和滑杆在固定引脚内部的滑动，方便对活动引脚和固定引脚的有效长度和角度进行调节，不需要对其进行修剪，使用方便，通过安装架能够增加对主体的保护，避免在焊接或者取下主体时，对主体造成损伤，在取下主体时，只需对焊接点进行加热，主体和活动板在弹簧的弹力下上升并与电路板分离，操作简单，实用性高，并且通过凹槽和安装架方便对主体进行散热，能够提高该MOSFET二极管使用寿命。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体场效应MOSFET二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123151498.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-15
授权号 ：
CN216648288U
授权日 ：
2022-05-31
发明人 ：
劳廉旭洪盛兰
申请人 ：
深圳市登辰易科技有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市宝安区西乡街道劳动社区宝源路2003号璟运大厦718-719
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202123151498.6
主分类号 ：
H01L23/48
IPC分类号 ：
H01L23/48 H01L23/12 H01L23/367 H01L29/78
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
法律状态
2022-05-31 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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