一种金属-半导体场效应晶体管
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明公开了一种利用侧壁自对准技术制造MESFET的结构，在金属栅电极与漏区相邻一侧的侧壁绝缘膜厚度大于与源区相邻一侧的侧壁绝缘膜厚度，这样的非对称结构能够提高MESFET的性能。
基本信息
专利标题 ：
一种金属-半导体场效应晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1049247A
申请号 ：
CN90104646.9
公开（公告）日 ：
1991-02-13
申请日 ：
1990-07-19
授权号 ：
CN1014755B
授权日 ：
1991-11-13
发明人 ：
刘训春王润梅叶甜春曹振亚
申请人 ：
中国科学院微电子中心
申请人地址 ：
100010北京市650信箱
代理机构 ：
北京林业大学专利事务所
代理人 ：
卢纪
优先权 ：
CN90104646.9
主分类号 ：
H01L29/52
IPC分类号 ：
H01L29/52 H01L29/784 H01L21/283
法律状态
1994-09-07 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1992-06-17 ：
授权
1991-11-13 ：
审定
1991-02-13 ：
公开
1990-12-05 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN1014755B.PDF
PDF下载
2、
CN1049247A.PDF
PDF下载
