一种金属氧化物半导体场效应晶体管
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
一种金属氧化物半导体场效应晶体管，它由第一导电类型的衬底、第二导电类型的源、漏区、栅氧化层和栅极构成。村底为N型<100>硅，源、漏区由离子注入掺杂P型硅或掺杂N型硅组成。栅氧化层采用掺氟氧化工艺，在800℃或更低温度下氧化和氟处理形成，其界面为单个原子层平整，点电荷数在1×1010/厘米2量级范围中，从而满足了沟道载流子散射少，电流波动小以及浅结、短沟道要求。是一种高速、低噪声晶体管。
基本信息
专利标题 ：
一种金属氧化物半导体场效应晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1039153A
申请号 ：
CN88105537.9
公开（公告）日 ：
1990-01-24
申请日 ：
1988-06-27
授权号 ：
CN1012117B
授权日 ：
1991-03-20
发明人 ：
龙伟徐元森
申请人 ：
中国科学院上海冶金研究所
申请人地址 ：
上海市长宁区长宁路865号
代理机构 ：
中国科学院上海专利事务所
代理人 ：
沈德新
优先权 ：
CN88105537.9
主分类号 ：
H01L29/784
IPC分类号 ：
H01L29/784
法律状态
1993-05-05 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1991-11-06 ：
授权
1991-03-20 ：
审定
1990-01-24 ：
公开
1989-01-11 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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