金属氧化物及场效应晶体管

授权

摘要

提供一种新颖的材料。在具有金属氧化物的场效应晶体管中，晶体管的沟道形成区域包含至少具有两个不同的能带宽的材料。该材料具有各为0.5nm以上且10nm以下的纳米尺寸的粒子。纳米尺寸的粒子以马赛克状分散或分布。

基本信息

专利标题：

金属氧化物及场效应晶体管

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN109196656A

申请号：

CN201780033970.3

公开（公告）日：

2019-01-11

申请日：

2017-05-26

授权号：

CN109196656B

授权日：

2022-04-19

发明人：

山崎舜平

申请人：

株式会社半导体能源研究所

申请人地址：

日本神奈川县

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司

代理人：

侯颖媖

优先权：

CN201780033970.3

主分类号：

H01L29/786

IPC分类号：

H01L29/786 G02F1/1368 H01L51/50

法律状态

2022-04-19 ：

授权

2019-06-28 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 29/786
申请日 : 20170526

2019-01-11 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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