无定形氧化物和场效应晶体管
授权
摘要
提供了一种新颖的无定形氧化物，其可用于例如TFT的有源层。该无定形氧化物包含微晶体。
基本信息
专利标题 ：
无定形氧化物和场效应晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101057339A
申请号 ：
CN200580038273.4
公开（公告）日 ：
2007-10-17
申请日 ：
2005-11-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
佐野政史中川克己细野秀雄神谷利夫野村研二
申请人 ：
佳能株式会社;国立大学法人东京工业大学
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
李德山
优先权 ：
CN200580038273.4
主分类号 ：
H01L29/786
IPC分类号 ：
H01L29/786 H01L21/428 H01L21/363
法律状态
2012-12-26 ：
授权
2012-12-12 ：
专利实施许可合同备案的生效、变更及注销
专利实施许可合同备案的生效号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101465745648
IPC(主分类) : H01L 29/786
专利申请号 : 2005800382734
专利号 : 无
合同备案号 : 2012990000753
让与人 : 独立行政法人科学技术振兴机构
受让人 : 京东方科技集团股份有限公司
发明名称 : 无定形氧化物和场效应晶体管
申请日 : 20051109
申请公布日 : 20071017
授权公告日 : 无
许可种类 : 普通许可
备案日期 : 20121015
号牌文件序号 : 101465745648
IPC(主分类) : H01L 29/786
专利申请号 : 2005800382734
专利号 : 无
合同备案号 : 2012990000753
让与人 : 独立行政法人科学技术振兴机构
受让人 : 京东方科技集团股份有限公司
发明名称 : 无定形氧化物和场效应晶体管
申请日 : 20051109
申请公布日 : 20071017
授权公告日 : 无
许可种类 : 普通许可
备案日期 : 20121015
2007-12-12 ：
实质审查的生效
2007-10-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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