一种氧化物发光场效应晶体管
授权
摘要
一种氧化物发光场效应晶体管，设置有基板、栅极、绝缘层、有源层、源极和漏极，以掺有稀土元素的氧化物半导体材料作为有源层。所述稀土元素为Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm或者Yb中的至少一种。本发明的氧化物发光场效应晶体管，在具有加栅压和漏压时能够实现紫外、可见和红外区域的电致发光。而且本发明的氧化物发光场效应晶体管因为稀土元素的掺杂，从而具有迁移率较高，工艺温度低，良好的电学性能及良好的光学透过性等优势。
基本信息
专利标题 ：
一种氧化物发光场效应晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112467002A
申请号 ：
CN202011344363.9
公开（公告）日 ：
2021-03-09
申请日 ：
2020-11-25
授权号 ：
CN112467002B
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
兰林锋吴永波林奕龙彭俊彪
申请人 ：
华南理工大学
申请人地址 ：
广东省广州市天河区五山路381号
代理机构 ：
北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
赵蕊红
优先权 ：
CN202011344363.9
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00 H01L33/26 H01L33/28
法律状态
2022-05-10 ：
授权
2021-03-26 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/00
申请日 : 20201125
申请日 : 20201125
2021-03-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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