采用无定形氧化物的场效应晶体管
专利实施许可合同备案的生效、变更及注销
摘要
提供了一种采用无定形氧化物的新颖的场效应晶体管。在本发明的实施例中，该晶体管包括含有浓度低于1×1018/cm3的电子载流子的无定形氧化物层，栅极绝缘层包括与该无定形氧化物接触的第一层和不同于第一层的第二层。
基本信息
专利标题 ：
采用无定形氧化物的场效应晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101057338A
申请号 ：
CN200580038272.X
公开（公告）日 ：
2007-10-17
申请日 ：
2005-11-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
佐野政史中川克己细野秀雄神谷利夫野村研二
申请人 ：
佳能株式会社;国立大学法人东京工业大学
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
李德山
优先权 ：
CN200580038272.X
主分类号 ：
H01L29/786
IPC分类号 ：
H01L29/786 H01L21/363
法律状态
2012-12-12 ：
专利实施许可合同备案的生效、变更及注销
专利实施许可合同备案的生效号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101465745649
IPC(主分类) : H01L 29/786
专利申请号 : 200580038272X
专利号 : ZL200580038272X
合同备案号 : 2012990000753
让与人 : 独立行政法人科学技术振兴机构
受让人 : 京东方科技集团股份有限公司
发明名称 : 采用无定形氧化物的场效应晶体管
申请日 : 20051109
申请公布日 : 20071017
授权公告日 : 20110316
许可种类 : 普通许可
备案日期 : 20121015
号牌文件序号 : 101465745649
IPC(主分类) : H01L 29/786
专利申请号 : 200580038272X
专利号 : ZL200580038272X
合同备案号 : 2012990000753
让与人 : 独立行政法人科学技术振兴机构
受让人 : 京东方科技集团股份有限公司
发明名称 : 采用无定形氧化物的场效应晶体管
申请日 : 20051109
申请公布日 : 20071017
授权公告日 : 20110316
许可种类 : 普通许可
备案日期 : 20121015
2011-03-16 ：
授权
2007-12-12 ：
实质审查的生效
2007-10-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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