电阻—氧化物—半导体场效应晶体管
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
一种绝缘栅型场效应晶体管，其栅极由电阻材料构成。在电阻栅极垂直于源漏联线方向的端线的两端制作了两个欧姆接触电极作为双栅端，其结构和功能上是等效的。本器件具有不截止、遥截止或锐截止转移特性，可根据需要获得所需的截止电压值和跨导值，两个栅端可同时作为控制栅和信号栅使用。本器件的应用扩大了场效应管的应用范围，可使电路得到简化，能有效地解决大信号堵塞、自动增益控制动态范围窄等问题。
基本信息
专利标题 ：
电阻—氧化物—半导体场效应晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN86101937A
申请号 ：
CN86101937.7
公开（公告）日 ：
1987-11-11
申请日 ：
1986-03-22
授权号 ：
CN86101937B
授权日 ：
1988-05-18
发明人 ：
叶安祚杨长根
申请人 ：
江西大学
申请人地址 ：
江西省南昌市南京东路17号
代理机构 ：
江西省专利服务中心
代理人 ：
郭毅力
优先权 ：
CN86101937.7
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78
法律状态
1995-05-17 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1989-03-01 ：
授权
1988-05-18 ：
审定
1988-01-13 ：
实质审查请求
1987-11-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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