金属氧化物半导体场效应晶体管

专利权的终止

摘要

一种金属氧化物半导体场效应晶体管，包括一基底、间隙壁、源极与漏极延伸层及源极与漏极层。其中，基底上配置有栅极结构，而间隙壁位于此栅极结构的侧壁上。源极与漏极延伸层位于间隙壁以下的基底中，而源极与漏极层位于间隙壁以外的基底中。此外，源极与漏极层的深度大于源极与漏极延伸层的深度。源极与漏极延伸层及源极与漏极层均为应变层(strained layer)。因为源极与漏极延伸层及源极与漏极层具有特定的材料与结构，所以能够改善短沟道效应，并使此金属氧化物半导体场效应晶体管具有优异的效能。

基本信息

专利标题：

金属氧化物半导体场效应晶体管

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200620115141.9

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2006-05-12

授权号：

CN200997401Y

授权日：

2007-12-26

发明人：

蔡振华蓝邦强林育信刘毅成蔡成宗

申请人：

联华电子股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹科学工业园区

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波

优先权：

CN200620115141.9

主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/78 H01L29/02