金属氧化物半导体场效应晶体管及其制作方法

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摘要

本发明涉及一种金属氧化物半导体场效应晶体管及其制作方法，在N型基底的一侧设有间隔设置在第一沟槽和第二沟槽，栅氧化层覆盖N型基底及各沟槽的内壁，多晶硅层覆盖栅氧化层的位于第一沟槽和第二沟槽之间的部分，并且填充第一沟槽和第二沟槽。进行P型离子的注入时，提高P型离子的注入剂量，后续进行P型离子的驱入时，P型离子扩散至位于第一沟槽和第二沟槽之间且靠近其中一沟槽的区域以及沟槽下方的区域，而由于沟槽的横向阻挡作用，不会使得P‑区的横向扩散太大，同时沟道区的掺杂浓度也不会太高，不至于影响到器件的工作开启电压，因为P‑区的剂量相对传统做法提高了，使得整个P‑区的掺杂浓度提高，大大提升了器件的EAS参数。

基本信息

专利标题：

金属氧化物半导体场效应晶体管及其制作方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN111244181A

申请号：

CN202010059705.6

公开（公告）日：

2020-06-05

申请日：

2020-01-19

授权号：

CN111244181B

授权日：

2022-05-17

发明人：

马万里李双马云骁

申请人：

深圳市昭矽微电子科技有限公司

申请人地址：

广东省深圳市龙岗区龙城街道黄阁坑社区清林路446龙岗天安数码新城3号厂房B603A

代理机构：

广州华进联合专利商标代理有限公司

代理人：

谭露盈

优先权：

CN202010059705.6

主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/78 H01L29/06 H01L21/336