制造金属氧化物半导体场效应晶体管的方法
专利申请的视为撤回
摘要
在此披露了一种制造其漏极与沟道区分离(DSC结构)的凹槽栅极金属氧化物半导体场效应晶体管的方法，以满足在深亚微米技术中提出的器件的可靠性和性能等所有要求。按照本发明，同时界定沟道区和场区，使用LOCOS形成其凹形沟道区与漏区分离的MOSFET，从而避免了因腐蚀硅基片引起的表面损伤。将控制阈值电压的杂质注入整个沟道区以防止与漏区分离的沟道区中载流子迁移率和跨导的减少。
基本信息
专利标题 ：
制造金属氧化物半导体场效应晶体管的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1101457A
申请号 ：
CN94104276.6
公开（公告）日 ：
1995-04-12
申请日 ：
1994-03-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
韩晶昱
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
姜华
优先权 ：
CN94104276.6
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
1996-12-11 ：
专利申请的视为撤回
1995-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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