本发明提供一种具有增强的高频性能的金属氧化物半导体场效应晶体管，包括用作漏极区域的半导体衬底和设置在衬底上表面上的外延区域。所述MOSFET器件包括在外延区中形成的多个体区域和多个源极区域。所述体区域设置在外延区域的上表面附近并且彼此横向间隔，并且每个源极区域设置在对应的体区域中靠近所述体区域的上表面。MOSFET器件包括具有多个平面栅和一沟槽栅的栅极结构。每个平面栅设置在外延区域的上表面上并与相应体区域重叠。所述沟槽栅形成为部分地通过所述外延区域并且在所述体区域之间，所述沟槽栅的上表面凹陷在所述外延区域的上表面之下。