带有埋置绝缘氧化物区的金属氧化物半导体晶体管制作方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
制作与埋置氧化物区自对准的场效应器件的MOS工艺。在由掩膜部分确定了栅之后，与掩膜部分相对准而进入氧注入。掩膜部分阻挡了氧注入，因而由此制出的晶体管的沟道区同埋置氧化层中的窗口相自对准。
基本信息
专利标题 ：
带有埋置绝缘氧化物区的金属氧化物半导体晶体管制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN86101350A
申请号 ：
CN86101350.6
公开（公告）日 ：
1987-05-13
申请日 ：
1986-03-07
授权号 ：
CN1012776B
授权日 ：
1991-06-05
发明人 ：
威廉·贝格丁秋先萧邦曾志成
申请人 ：
英特尔公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
中国专利代理有限公司
代理人 ：
肖掬昌
优先权 ：
CN86101350.6
主分类号 ：
H01L29/76
IPC分类号 ：
H01L29/76 H01L21/469 H01L21/31
法律状态
1995-04-26 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1992-02-19 ：
授权
1991-06-05 ：
审定
1988-08-10 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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