金属氧化物半导体场效晶体管
授权
摘要
本实用新型公开一种金属氧化物半导体场效晶体管，其包含基材结构、多个掺杂区域、氧化层结构、多个半导体层结构、介电质层结构及金属结构。基材结构包含基底层及磊晶层。磊晶层沿第一方向形成多个沟槽。任两相邻的沟槽间形成一间距。多个沟槽间的间距沿第一方向递增。多个掺杂区域分别形成于多个沟槽的底部。氧化层结构形成于多个沟槽的内壁及磊晶层的表面上。多个半导体层结构分别形成于多个沟槽中，以形成多个沟渠式结构。介电质层结构形成于氧化层结构上。金属结构形成于介电质层结构上且电性连接于至少其中一个沟渠式结构。借此，金属氧化物半导体场效晶体管具有生产成本低、生产产率高、体积小、及构造简单等产品上的竞争优势。
基本信息
专利标题 ：
金属氧化物半导体场效晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020080727.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-01-15
授权号 ：
CN212113728U
授权日 ：
2020-12-08
发明人 ：
徐信佑陈涌昌王振煌
申请人 ：
全宇昕科技股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新北市
代理机构 ：
北京律和信知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
张羽
优先权 ：
CN202020080727.6
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L21/336 H01L29/06
法律状态
2020-12-08 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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