半导体装置的鳍状结构以及鳍式场效晶体管装置
授权
摘要
本发明公开一种半导体装置的鳍状结构以及鳍式场效晶体管装置。该半导体装置的鳍状结构，例如鳍式场效晶体管(FinFET)结构，具有第一半导体层、第二半导体层以及位于第一半导体层与第二半导体层之间的空气间隔。空气间隔可防止漏电。鳍式场效晶体管装置可由先进行掘入再进行外延再成长的方式形成源极/漏极鳍，而此再成长可开始于一管状空气间隔的上方。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置的鳍状结构以及鳍式场效晶体管装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN107342322A
申请号 ：
CN201610645485.9
公开（公告）日 ：
2017-11-10
申请日 ：
2016-08-09
授权号 ：
CN107342322B
授权日 ：
2022-04-08
发明人 ：
刘升旭李镇全陈致中吕曼绫蔡宗闵陈意维
申请人 ：
联华电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市新竹科学工业园区
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陈小雯
优先权 ：
CN201610645485.9
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L21/764 H01L21/336 H01L29/06
法律状态
2022-04-08 ：
授权
2021-10-29 ：
专利申请权、专利权的转移
专利申请权的转移IPC(主分类) : H01L 29/78
登记生效日 : 20211019
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 联华电子股份有限公司
变更后权利人 : 蓝枪半导体有限责任公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 中国台湾新竹市新竹科学工业园区
变更后权利人 : 爱尔兰都柏林
登记生效日 : 20211019
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 联华电子股份有限公司
变更后权利人 : 蓝枪半导体有限责任公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 中国台湾新竹市新竹科学工业园区
变更后权利人 : 爱尔兰都柏林
2019-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20160809
申请日 : 20160809
2017-11-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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