具有场板以减少其面积的晶体管结构
授权
摘要
在一些实施例中，BJT结构包括基极区、形成在基极区中并且包括发射极掺杂区的发射极区、包括集电极掺杂区的集电极区、绝缘结构和场板。基极区与发射极掺杂区和集电极掺杂区之间的集电极区形成结。在绝缘结构上方且在结上方形成场板。结的对应的发射极掺杂区和集电极掺杂区之间的第一距离比第二距离更短，第二距离对应于第一距离且位于没有场板的另一BJT结构中。第一距离导致位于发射极掺杂区和集电极掺杂区之间的对应于第一击穿电压值的结的击穿，第一击穿电压值等于或大于对应于第一击穿电压值的其他BJT结构的第二击穿电压值。本发明实施例涉及具有场板以减少其面积的晶体管结构。
基本信息
专利标题 ：
具有场板以减少其面积的晶体管结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN107452786A
申请号 ：
CN201611119418.X
公开（公告）日 ：
2017-12-08
申请日 ：
2016-12-08
授权号 ：
CN107452786B
授权日 ：
2022-05-31
发明人 ：
陈晶盈钟于彰郑水明
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹
代理机构 ：
北京德恒律治知识产权代理有限公司
代理人 ：
章社杲
优先权 ：
CN201611119418.X
主分类号 ：
H01L29/40
IPC分类号 ：
H01L29/40 H01L29/73
法律状态
2022-05-31 ：
授权
2019-06-07 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/40
申请日 : 20161208
申请日 : 20161208
2017-12-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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