具有场板的场效应晶体管
公开
摘要
场效应晶体管，其具有用于在栅极(22)和漏极(20)之间的区域中塑造电场的场板结构，所述场板结构具有：设置在栅极上以及栅极和漏极之间的区域中的半导体的表面上的电介质层(24)；以及设置在电介质层的部分中的电荷(41)，所述电荷的一部分设置在栅极上表面上的电介质层中，所述电荷的另一部分从栅极的上表面延伸到栅极和漏极之间的区域中；并且其中所述电荷仅仅产生电场。
基本信息
专利标题 ：
具有场板的场效应晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114303247A
申请号 ：
CN202080057609.6
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2020-08-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
M·S·戴维斯E·M·詹贝斯B·T·小阿普尔顿
申请人 ：
雷声公司
申请人地址 ：
美国马萨诸塞
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
王永建
优先权 ：
CN202080057609.6
主分类号 ：
H01L29/778
IPC分类号 ：
H01L29/778 H01L29/40 H01L21/335 H01L29/20 H01L29/417
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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