具有衬层的鳍型场效应晶体管
授权
摘要
一种集成电路器件包括：鳍型有源区，从基板突出；多个衬层，顺序地覆盖鳍型有源区的下侧壁；器件隔离层，覆盖鳍型有源区的下侧壁并且多个衬层在器件隔离层和鳍型有源区之间；以及栅绝缘层，延伸以覆盖鳍型有源区的沟道区、多个衬层和器件隔离层，并包括位于栅绝缘层的覆盖多个衬层的部分上的突起。
基本信息
专利标题 ：
具有衬层的鳍型场效应晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN106486483A
申请号 ：
CN201610791568.9
公开（公告）日 ：
2017-03-08
申请日 ：
2016-08-31
授权号 ：
CN106486483B
授权日 ：
2022-04-05
发明人 ：
成石铉刘庭均朴起宽金基一
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
屈玉华
优先权 ：
CN201610791568.9
主分类号 ：
H01L27/092
IPC分类号 ：
H01L27/092 H01L29/78 H01L29/06 H01L21/8238
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/08
只包括有一种半导体组件的
H01L27/085
只包含场效应的组件
H01L27/088
有绝缘栅场效应晶体管的组件
H01L27/092
互补MIS场效应晶体管
法律状态
2022-04-05 ：
授权
2018-05-01 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/092
申请日 : 20160831
申请日 : 20160831
2017-03-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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