具有应力介质层的横向双扩散半导体场效应晶体管及其制作方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种具有应力介质层的横向双扩散半导体场效应晶体管及其制作方法。该器件在衬底上半部分设置部分折叠状结构；折叠漂移区表面淀积应力介质层，应力介质层表面覆盖延伸栅电极，位于应力介质层上方的平面延伸栅电极与平面漏区消除全折叠结构拐角处的电场集中，避免在拐角处发生提前击穿，器件的击穿电压提高。应力介质层通过三个面两个维度向漂移区施加沿X方向的积极应力，该积极应力在漂移区内叠加从而诱导漂移区内载流子迁移率提高；同时，器件在关断状态时，漂移区最优掺杂浓度提高；在开启状态时，漂移区表面形成载流子积累层，载流子积累层能够作为低阻电流通路减小器件的比导通电阻。
基本信息
专利标题 ：
具有应力介质层的横向双扩散半导体场效应晶体管及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114464682A
申请号 ：
CN202210198842.7
公开（公告）日 ：
2022-05-10
申请日 ：
2022-03-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
段宝兴李明哲杨银堂
申请人 ：
西安电子科技大学
申请人地址 ：
陕西省西安市太白南路2号
代理机构 ：
西安智邦专利商标代理有限公司
代理人 ：
唐沛
优先权 ：
CN202210198842.7
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/423 H01L21/336
法律状态
2022-05-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20220302
申请日 : 20220302
2022-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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