包括场效应晶体管的半导体装置

专利权的终止

摘要

半导体装置包括半导体区域、源极和漏区、门绝缘薄膜以及门电极。半导体区域具有平面取向(001)。源极和漏区在半导体区域中彼此远离地形成，并且沟道区在半导体区域中源极和漏区之间形成。沟道区的沟道长度方向设置为沿着半导体区域的方向<100>。沿着沟道长度方向生成张应力。门绝缘薄膜形成在源区和漏区之间的半导体区域上。门电极形成在门绝缘薄膜上。

基本信息

专利标题：

包括场效应晶体管的半导体装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1787230A

申请号：

CN200510129439.5

公开（公告）日：

2006-06-14

申请日：

2005-12-08

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

菰田泰生

申请人：

株式会社东芝

申请人地址：

日本东京都

代理机构：

永新专利商标代理有限公司

代理人：

王琼

优先权：

CN200510129439.5

主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/78 H01L29/04 H01L27/092 H01L21/336 H01L21/8232