有机场效应晶体管及包含其的半导体装置
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摘要
本发明的目标是提供一种有机场效应晶体管，其可以减小在与由有机半导体材料形成的半导体层的界面处的能垒(在本发明中称为“有机场效应晶体管”)。将包括有机化合物和金属氧化物的复合层用于该有机场效应晶体管的电极，换言之，该复合层被用于该有机场效晶体管内源电极或漏电极的至少一部分。
基本信息
专利标题 ：
有机场效应晶体管及包含其的半导体装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101116187A
申请号 ：
CN200580047753.7
公开（公告）日 ：
2008-01-30
申请日 ：
2005-12-05
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
大泽信晴平形吉晴古川忍
申请人 ：
株式会社半导体能源研究所
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
张雪梅
优先权 ：
CN200580047753.7
主分类号 ：
H01L29/786
IPC分类号 ：
H01L29/786 H01L51/05
法律状态
2010-05-26 ：
授权
2008-03-19 ：
实质审查的生效
2008-01-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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