包含互补场效应晶体管的集成电路
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
包含有互补场效应晶体管的集成电路，它们二者是常截止、耗尽型的。这两个晶体管在沟道区都有一个表面层，它们和与之相连的源漏区具有相同的导电类型。在这两个表面层中，其每单位表面积中的掺杂量至少等于分别和这两个表面属相连的两个衬底区部分每单位表面积中的电荷量，并且假如在栅电极和源漏区间加上一个阈值电压，则衬底区被耗尽。栅电极是由相反导电类型的半导体材料组成的。
基本信息
专利标题 ：
包含互补场效应晶体管的集成电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN85101787A
申请号 ：
CN85101787.8
公开（公告）日 ：
1987-01-10
申请日 ：
1985-04-01
授权号 ：
CN1007682B
授权日 ：
1990-04-18
发明人 ：
卡拉信·法兰马宁诺斯
申请人 ：
菲利蒲光灯制造公司
申请人地址 ：
荷兰艾恩德霍芬哥纳云特斯道一号
代理机构 ：
中国专利代理有限公司
代理人 ：
李先春
优先权 ：
CN85101787.8
主分类号 ：
H01L27/06
IPC分类号 ：
H01L27/06
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/06
在非重复结构中包括有多个单个组件的
法律状态
1999-05-26 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1991-01-02 ：
授权
1990-04-18 ：
审定
1988-01-13 ：
实质审查请求
1987-01-10 ：
公开
1986-09-24 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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