场效应晶体管的建模电路以及设计集成电路的方法
公开
摘要
一种场效应晶体管的建模电路包括第一场效应晶体管、第一双极晶体管、第二双极晶体管和衬底电阻器。所述第一双极晶体管具有连接到与所述第一场效应晶体管的第一电极对应的第一节点的集电极、连接到与所述第一场效应晶体管的第二电极对应的第二节点的发射极、以及基极。所述第二双极晶体管具有连接到所述第二节点的集电极、连接到所述第一节点的发射极以及连接到所述第一双极晶体管的所述基极的基极。所述衬底电阻器连接在所述第一双极晶体管的所述基极和所述第二双极晶体管的所述基极与其上形成有所述第一场效应晶体管的半导体衬底的第一表面之间。
基本信息
专利标题 ：
场效应晶体管的建模电路以及设计集成电路的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114548011A
申请号 ：
CN202111265648.8
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2021-10-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
文盛珍文基英李慧仁
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市立方律师事务所
代理人 ：
李娜
优先权 ：
CN202111265648.8
主分类号 ：
G06F30/367
IPC分类号 ：
G06F30/367 G06F30/39
IPC结构图谱
G
G部——物理
G06
计算；推算或计数
G06F
电数字数据处理
G06F30/367
设计验证，例如，采用仿真，集成电路仿真程序，直接方法或松弛方法
法律状态
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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