具有后道晶体管的集成电路管芯

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摘要

描述了具有建造到管芯的后道部分中的多栅极非平面晶体管的集成电路管芯。在示例中，非平面晶体管包括在源极模块与漏极模块之间延伸的非晶态氧化物半导体（AOS）沟道。栅极模块可在AOS沟道周围延伸以控制在源极模块与漏极模块之间的电流流动。AOS沟道可包括具有铟镓锌氧化物的AOS层。

基本信息

专利标题：

具有后道晶体管的集成电路管芯

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN109314133A

申请号：

CN201680086356.9

公开（公告）日：

2019-02-05

申请日：

2016-06-30

授权号：

CN109314133B

授权日：

2022-04-29

发明人：

V.H.勒G.W.德韦M.拉多萨夫杰维奇R.里奥斯J.T.卡瓦利罗斯

申请人：

英特尔公司

申请人地址：

美国加利福尼亚州

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

徐予红

优先权：

CN201680086356.9

主分类号：

H01L29/66

IPC分类号：

H01L29/66 H01L29/78 H01L23/29

法律状态

2022-04-29 ：

授权

2019-07-26 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 29/66
申请日 : 20160630

2019-02-05 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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