一种具有高抗静电能力的晶体管芯片结构
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种具有高抗静电能力的晶体管芯片结构，包括两个MOS结构和一个电容结构，两个MOS结构均包括衬底层、第一导电层、重掺杂第一导电层、第二导电层、绝缘层、多晶硅层、氮化硅绝缘层、PSG层和金属电极层，两个MOS结构其中第一级MOS结构的源极或漏极作为第二级MOS结构的栅极，第一个MOS的栅极与公共的接地电极之间设置一个并联的二极管，且并联的二极管一端连接第一个MOS结构的栅电极，另一端连接接地电极，通过在传统2T1C驱动芯片中反向并联一个二极管，使驱动芯片在加工及转移过程中能够更好的耐受静电的冲击，提高显示单元的成品率，改善显示效果，充分利用MOS结构空间，工艺流程及制作过程和原MOS制作完全一致，不会导致成本增加，具有明显优势。
基本信息
专利标题 ：
一种具有高抗静电能力的晶体管芯片结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114284262A
申请号 ：
CN202111453741.1
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-12-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李鸿渐李志聪李忠
申请人 ：
南京阿吉必信息科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省南京市雨花台区西春路1号创智大厦南楼一楼-022
代理机构 ：
南京新众合专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王子瑜
优先权 ：
CN202111453741.1
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/02
申请日 : 20211201
申请日 : 20211201
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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