一种可提高载流能力的芯片封装结构
授权
摘要
本实用新型公开一种可提高载流能力的芯片封装结构，该芯片封装结构包括：引线框架，其包括基岛；芯片，其具有源极；所述芯片焊接于所述基岛；第一金属桥，其两端分别具有第一焊接部和第一引出部，所述第一焊接部通过导电焊材层焊接于所述源极，所述第一引出部用于与外部的电路载体电连接。本实用新型的可提高载流能力的芯片封装结构，通过第一金属桥将电流由芯片源极引出至芯片封装结构外，所述第一金属桥能够提供面积更大的可焊区域，从而能够提高芯片封装结构的载流能力。
基本信息
专利标题 ：
一种可提高载流能力的芯片封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020985293.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-02
授权号 ：
CN212113704U
授权日 ：
2020-12-08
发明人 ：
何锦文唐和明官名浩
申请人 ：
杰群电子科技（东莞）有限公司
申请人地址 ：
广东省东莞市黄江镇裕元工业区内精成科技园A、B栋
代理机构 ：
北京泽方誉航专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
唐明磊
优先权 ：
CN202020985293.4
主分类号 ：
H01L23/49
IPC分类号 ：
H01L23/49
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
H01L23/49
类似线状的
法律状态
2020-12-08 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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