一种封装芯片抗静电能力检测方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种封装芯片抗静电能力检测方法，在向封装芯片施加工作电压、且封装芯片的I‑V曲线检测合格的前提下，循环进行施加静电电压、静置、施加工作电压的过程，直至封装芯片的I‑V曲线检测不合格，然后统计循环次数，并计算封装芯片的累积静电放电能量，最后将其与抗静电能力合格的封装芯片的累积静电放电能量进行对比，实现抗静电能力合格与否的检测。通过本发明提供的方法，能够判断出封装芯片是否有轻微或者较轻微的静电损伤，且本发明操作简单、检测成本低，提供了封装芯片抗静电能力检测的替代方法。
基本信息
专利标题 ：
一种封装芯片抗静电能力检测方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114545212A
申请号 ：
CN202210447575.2
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-04-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张海横郭小柳熊强姚亚雄赵勇李万林吴祖亚曾婷李淋淋
申请人 ：
江铃汽车股份有限公司
申请人地址 ：
江西省南昌市南昌县迎宾中大道2111号
代理机构 ：
北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
何世磊
优先权 ：
CN202210447575.2
主分类号 ：
G01R31/28
IPC分类号 ：
G01R31/28
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/28
•电路的测试，例如用信号故障寻测器
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01R 31/28
申请日 : 20220427
申请日 : 20220427
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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