一种提升抗静电能力的GaN基LED外延结构
公开
摘要
本发明公开了一种提升抗静电能力的GaN基LED外延结构及其制备方法，低温pGaN层之间和pAlGaN层之间增加插入层，所述插入层为AlN层；或，所述插入层为InxAl1‑xN层，其中0
基本信息
专利标题 ：
一种提升抗静电能力的GaN基LED外延结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114613889A
申请号 ：
CN202210294409.3
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2022-03-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
潘超杨辉徐东倪瑞
申请人 ：
淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
申请人地址 ：
江苏省淮安市清河新区景秀路6号
代理机构 ：
淮安市科文知识产权事务所
代理人 ：
谢观素
优先权 ：
CN202210294409.3
主分类号 ：
H01L33/02
IPC分类号 ：
H01L33/02 H01L33/06 H01L33/12 H01L33/14 H01L33/32 H01L33/00
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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