一种具有抗静电层的III族氮化物半导体外延结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种具有抗静电层的III族氮化物半导体外延结构，依次包括：III族氮化物半导体外延结构前端部分、AlxGa(1‑x)N抗静电层和III族氮化物半导体外延结构后续部分，前端部分内的穿透位错线位置处形成由平面和倒六角锥状坑组成的倒六角锥结构，AlxGa(1‑x)N抗静电层形成于所述倒六角锥结构之上。AlxGa(1‑x)N抗静电层在倒六角锥状坑侧壁的厚度显著大于其在平面上的厚度，使得穿透位错线在倒六角锥状坑底部附近形成远高于倒六角锥结构平面位置的电阻，从而大幅提升III族氮化物半导体外延结构的抗静电性能，使之接近无穿透位错的III族氮化物应有的高抗静电能力。
基本信息
专利标题 ：
一种具有抗静电层的III族氮化物半导体外延结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920747843.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-23
授权号 ：
CN210092074U
授权日 ：
2020-02-18
发明人 ：
刘军林江风益
申请人 ：
南昌大学
申请人地址 ：
江西省南昌市红谷滩新区学府大道999号
代理机构 ：
江西省专利事务所
代理人 ：
张文
优先权 ：
CN201920747843.6
主分类号 ：
H01L23/60
IPC分类号 ：
H01L23/60 H01L29/06 H01L29/20 H01L31/0304 H01L31/0352 H01L33/32
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/58
其他组不包含的，用于半导体器件的电结构装置
H01L23/60
防静电荷或放电的保护装置，例如法拉第防护屏
法律状态
2020-02-18 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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