具有复合缓冲层的LED外延结构
授权
摘要
本实用新型提供一种具有复合缓冲层的LED外延结构，从下向上依次包括衬底、复合缓冲层、以及半导体层，复合缓冲层包含至少一个双层组合单元，每个组合单元包括一层第一缓冲层和一层第二缓冲层，最下层第一缓冲层设于衬底之上，第二缓冲层设于第一缓冲层背离衬底的一侧，半导体层设于最上层第二缓冲层之上；第一缓冲层与衬底之间的晶格常数差值小于或等于45％，第二缓冲层与相邻于复合缓冲层的半导体层之间的晶格常数差值小于或等于5％。通过将两层晶格常数分别接近于衬底和半导体层的缓冲层叠加，使得衬底与半导体层之间的晶格匹配形成更好的过渡，改善外延长晶质量；并且周期性叠层，形成分布布拉格反射结构，提高轴向出光率。
基本信息
专利标题 ：
具有复合缓冲层的LED外延结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020748499.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-08
授权号 ：
CN211700320U
授权日 ：
2020-10-16
发明人 ：
陈传国唐宝坤宋威姿李昂
申请人 ：
聚灿光电科技股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市工业园区月亮湾路15号中新大厦32楼01-05室
代理机构 ：
苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
沈晓敏
优先权 ：
CN202020748499.5
主分类号 ：
H01L33/12
IPC分类号 ：
H01L33/12 H01L33/10 H01L33/00
法律状态
2020-10-16 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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