一种氧化物缓冲层的外延结构及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种氧化物缓冲层的外延结构及其制备方法，所述外延结构由下至上依次包括衬底层、非晶三元氧化物缓冲层和氧化镓结晶层；所述非晶三元氧化物缓冲层的化学结构为(AlxGa1‑x)2O3，其中0＜x＜1；所述制备方法通过在衬底上使用有机金属源材料与含氧气体制备制备整体化学结构为(AlxGa1‑x)2O3，其中0＜x＜1的非晶三元氧化物缓冲层，再形成氧化镓结晶层；所述外延结构为铝组分由高到低渐变的单层结构或由高铝组分分层和低铝组分组成的多层结构，由特殊结构的缓冲层缓解应力，从而得到晶体质量和表面形貌优良的ε相氧化镓和/或κ相氧化镓薄膜。
基本信息
专利标题 ：
一种氧化物缓冲层的外延结构及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114361246A
申请号 ：
CN202111672960.9
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2021-12-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张楚昂
申请人 ：
北京航天广通科技有限公司分公司
申请人地址 ：
北京市海淀区永定路51号57号楼乙座一层
代理机构 ：
北京品源专利代理有限公司
代理人 ：
高艳红
优先权 ：
CN202111672960.9
主分类号 ：
H01L29/24
IPC分类号 ：
H01L29/24 H01L21/02
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/24
申请日 : 20211231
申请日 : 20211231
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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