一种抗静电外延结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种抗静电外延结构，所述外延结构包括衬底，依次设于衬底上的第一半导体层、有源层和第二半导体层，所述第二半导体层包括P型AlGaN层、P型GaN层和高静电层，所述P型GaN层设置在P型AlGaN层上，所述高静电层插入在P型GaN层中；所述高静电层包括无掺杂GaN层和/或低掺杂GaN层，所述无掺杂GaN层由掺杂浓度为零的GaN制成，所述低掺杂GaN层由p‑GaN制成，掺杂浓度为a；所述P型GaN层由p‑GaN制成，掺杂浓度为b，a＜b。本实用新型在P型GaN层中插入高静电层，有效提高外延结构的抗静电能力。
基本信息
专利标题 ：
一种抗静电外延结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921526114.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-12
授权号 ：
CN210805811U
授权日 ：
2020-06-19
发明人 ：
仇美懿庄家铭
申请人 ：
佛山市国星半导体技术有限公司
申请人地址 ：
广东省佛山市南海区狮山镇罗村朗沙广东新光源产业基地内光明大道18号
代理机构 ：
广州三环专利商标代理有限公司
代理人 ：
胡枫
优先权 ：
CN201921526114.4
主分类号 ：
H01L33/14
IPC分类号 ：
H01L33/14 H01L33/00
法律状态
2020-06-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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