用于抗静电伤害的电路结构
授权
摘要
本实用新型涉及一种用于抗静电伤害的电路结构，包括USB口及主芯片，其中，所述的电路结构还包括静电释放防护模块，所述的USB口中两根与主芯片相连接的差分线分别与所述的静电释放防护模块相连接，所述的静电释放防护模块还与系统地相连接，阻止隔断USB口的静电累积通过差分线耦合到主芯片内部，对芯片造成损坏，且还可以将USB口串接并联的电阻及电容后接电源地，进行静电处理，将静电缓慢泄放到电源地，以免电源受静电直接冲击造成电源硬件损伤，对电路进行保护。采用本实用新型的用于抗静电伤害的电路结构可有效防止静电干扰，对电路进行保护，提高产品质量和性能，延长产品使用寿命，且成本低，性能好。
基本信息
专利标题 ：
用于抗静电伤害的电路结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920860293.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-06-06
授权号 ：
CN209692347U
授权日 ：
2019-11-26
发明人 ：
王海波蔡云枝
申请人 ：
上海市共进通信技术有限公司
申请人地址 ：
上海市徐汇区虹梅路1905号远中科研楼7楼
代理机构 ：
上海智信专利代理有限公司
代理人 ：
王洁
优先权 ：
CN201920860293.9
主分类号 ：
H02H9/02
IPC分类号 ：
H02H9/02 H02H9/04
法律状态
2019-11-26 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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