一种抗静电的外延结构
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摘要
本实用新型公开了一种抗静电的外延结构，所述外延结构包括依次设于衬底上的缓冲层、N型GaN层、有源层和P型GaN层，其特征在于，所述N型GaN层和有源层之间设有复合层，所述复合层包括若干层硅浓度变化GaN层，所述硅浓度变化GaN层包括第一GaN层、设于第一GaN层上的第二GaN层、设于第二GaN层上的第三GaN层、以及设于第三GaN层上的第四GaN层，所述第一GaN层中硅的掺杂浓度为零，所述第二GaN层和第四GaN层中硅的掺杂浓度小于第三GaN层中硅的掺杂浓度。本实用新型在所述N型GaN层和有源层之间设有复合层，电流经过复合层之后，可以均匀分布到整个外延结构，从而使电流不会集中在某个区域或点上，进而改善外延结构的抗静电能力，防止有源层被静电击穿。
基本信息
专利标题 ：
一种抗静电的外延结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921136819.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-18
授权号 ：
CN210156415U
授权日 ：
2020-03-17
发明人 ：
崔永进庄家铭
申请人 ：
佛山市国星半导体技术有限公司
申请人地址 ：
广东省佛山市南海区狮山镇罗村朗沙广东新光源产业基地内光明大道18号
代理机构 ：
广州三环专利商标代理有限公司
代理人 ：
胡枫
优先权 ：
CN201921136819.5
主分类号 ：
H01L33/14
IPC分类号 ：
H01L33/14 H01L33/32 H01L33/00
法律状态
2020-03-17 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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