内嵌金属基氮化物材料外延衬底
授权
摘要
本实用新型涉及第三代半导体材料制备技术领域，尤指一种内嵌金属基氮化物材料外延衬底，包括衬底，衬底制有若干个凹坑，每个凹坑内依次生长有第一金属介质层、第二金属介质层和第三金属介质层，第三金属介质层在凹坑内生长至覆盖衬底。本实用新型解决第三代氮化物材料及器件散热差的问题，使氮化物材料及器件在工作过程中始终处于较低的结温状态，提高其可靠性及性能。
基本信息
专利标题 ：
内嵌金属基氮化物材料外延衬底
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022428035.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-27
授权号 ：
CN212967679U
授权日 ：
2021-04-13
发明人 ：
王琦梁智文刘南柳汪青张国义
申请人 ：
北京大学东莞光电研究院
申请人地址 ：
广东省东莞市松山湖高新技术产业开发区沁园路17号
代理机构 ：
东莞恒成知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
韩丹
优先权 ：
CN202022428035.9
主分类号 ：
H01L23/373
IPC分类号 ：
H01L23/373 H01L23/14 H01L23/13
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置
H01L23/36
为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器
H01L23/373
为便于冷却的器件材料选择
法律状态
2021-04-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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