硅平面型功率晶体管管芯制造方法
专利权的终止未缴纳年费专利权终止
摘要
在对硅平面型功率晶体管管芯cb结低击穿、管道击穿、多段击穿、大漏电，以及ce结穿通等产生原因的研究分析的基础上，提出一种刻蚀沟槽和低温钝化相结合的刻槽硅平面型功率晶体管管芯制造技术。大幅度的提高功率晶体管管芯的合格率和高档品率，并使整批管芯cb结击穿电压均一化，改善管芯电性能等。
基本信息
专利标题 ：
硅平面型功率晶体管管芯制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN87102729A
申请号 ：
CN87102729.1
公开（公告）日 ：
1988-04-06
申请日 ：
1987-04-14
授权号 ：
CN1004737B
授权日 ：
1989-07-05
发明人 ：
刘振茂张国威张鹏俭
申请人 ：
哈尔滨工业大学
申请人地址 ：
黑龙江省哈尔滨市西大直街166号
代理机构 ：
哈尔滨工业大学专利事务所
代理人 ：
黄锦阳
优先权 ：
CN87102729.1
主分类号 ：
H01L29/72
IPC分类号 ：
H01L29/72 H01L21/18
法律状态
1992-08-05 ：
专利权的终止未缴纳年费专利权终止
1990-03-21 ：
授权
1989-07-05 ：
审定
1988-04-06 ：
公开
1988-03-23 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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