晶体管及其制造方法
专利权的终止
摘要
一种制造薄膜晶体管的方法，该方法包括：使非晶硅膜结晶化；在其上形成栅绝缘膜和栅电极、以自对准方式注入杂质，粘附一含有加速硅膜结晶化的催化元素的被覆层，以及将所得结构在低于衬底变形温度的温度下退火，以激活已掺入的杂质。按另一方案，可用离子注入法或类似法将催化元素引入杂质区而掺入该结构。
基本信息
专利标题 ：
晶体管及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1215224A
申请号 ：
CN98116322.X
公开（公告）日 ：
1999-04-28
申请日 ：
1994-03-12
授权号 ：
CN1154165C
授权日 ：
2004-06-16
发明人 ：
张宏勇高山彻竹村保彦
申请人 ：
株式会社半导体能源研究所
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
叶恺东
优先权 ：
CN98116322.X
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L29/786
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2014-05-07 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101582078699
IPC(主分类) : H01L 21/336
专利号 : ZL98116322X
申请日 : 19940312
授权公告日 : 20040616
终止日期 : 20130312
号牌文件序号 : 101582078699
IPC(主分类) : H01L 21/336
专利号 : ZL98116322X
申请日 : 19940312
授权公告日 : 20040616
终止日期 : 20130312
2004-06-16 ：
授权
1999-04-28 ：
公开
1999-04-07 ：
实质审查请求的生效
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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