高电压晶体管及其制造方法
授权
摘要
在具有高击穿电压的HV晶体管及其制造方法中，通过氧化一部分衬底使第一绝缘图案形成在半导体衬底上，并且形成第二绝缘图案，使得第一绝缘图案的至少一部分覆盖有第二绝缘图案。通过淀积导电材料到衬底上，在衬底上形成栅电极，栅电极含有第一末端部分和与第一末端部分相对的第二末端部分。第一末端部分形成在第一绝缘图案上，而第二末端部分形成在第二绝缘图案上。通过注入杂质到衬底上，在衬底的表面部分处形成源/漏区。减少了在栅电极的边缘部分处的电场强度，并且HV晶体管具有高击穿电压。
基本信息
专利标题 ：
高电压晶体管及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1828936A
申请号 ：
CN200510119177.4
公开（公告）日 ：
2006-09-06
申请日 ：
2005-10-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
康美铉辛和叔李孟烈
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200510119177.4
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/423 H01L21/336 H01L21/28
法律状态
2009-06-03 ：
授权
2007-12-12 ：
实质审查的生效
2006-09-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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