LDMOS晶体管及其制造方法
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摘要
本发明提供一种LDMOS晶体管及其制造方法，其中栅极结构和漏区之间的屏蔽绝缘层中形成有上宽下窄的屏蔽沟槽，通过所述屏蔽沟槽可以增加远离栅极结构一侧的屏蔽绝缘层的平均厚度，降低金属层下方的电场强度，同时使所述金属层下方的电场更加均匀地分布，并有利于抑制栅极结构边缘的热载流子注入效应，从而能够实现更高的击穿电压和更低的导通电阻，最终提高器件性能。
基本信息
专利标题 ：
LDMOS晶体管及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110120346A
申请号 ：
CN201810118981.8
公开（公告）日 ：
2019-08-13
申请日 ：
2018-02-06
授权号 ：
CN110120346B
授权日 ：
2022-04-22
发明人 ：
方磊
申请人 ：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区张江路18号
代理机构 ：
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
屈蘅
优先权 ：
CN201810118981.8
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L21/265 H01L29/78
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2022-04-22 ：
授权
2019-09-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/336
申请日 : 20180206
申请日 : 20180206
2019-08-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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