晶体管和制造晶体管的方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及晶体管和制造晶体管的方法，晶体管可以包括缓冲层、缓冲层上的源极和漏极接触件、缓冲层上的阻挡层、阻挡层上的导电构件、介电堆叠和栅极金属。阻挡层可以在源极接触件和漏极接触件之间。导电构件可以包括p掺杂的III‑V族化合物。介电堆叠可以在阻挡层上和在导电构件上。介电堆叠可以包括第一介电层和在第一介电层上的第二介电层。第一和第二沟槽可以分别穿过介电堆叠延伸到导电构件和第一介电层。栅极金属可以在介电堆叠上，并且可以通过第一沟槽接触导电构件并且可以通过第二沟槽接触第一介电层。
基本信息
专利标题 ：
晶体管和制造晶体管的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497209A
申请号 ：
CN202111067680.5
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2021-09-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
雷嘉成J·J·杰里L·S·素赛陈学深
申请人 ：
新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
申请人地址 ：
新加坡，新加坡城
代理机构 ：
北京戈程知识产权代理有限公司
代理人 ：
程伟
优先权 ：
CN202111067680.5
主分类号 ：
H01L29/778
IPC分类号 ：
H01L29/778 H01L29/423 H01L21/335
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/778
申请日 : 20210913
申请日 : 20210913
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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