功率晶体管的制造方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明涉及功率晶体管的制造方法，其主要特点是：(1)集电极多层金属化时，上粘附层所采用的金属与硅芯片低温下形成金属硅化物；(2)阻挡层分别与上粘附层和下粘附层之间溅射形成交叉层；(3)将管芯焊在管壳上时采用了新软焊料，采用本方法生产功率晶体管的间歇寿命达1.5万～3万次以上。
基本信息
专利标题 ：
功率晶体管的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1044013A
申请号 ：
CN89106857.0
公开（公告）日 ：
1990-07-18
申请日 ：
1989-11-23
授权号 ：
CN1015306B
授权日 ：
1992-01-15
发明人 ：
薛成山田淑芬庄惠照陆大荣任忠祥
申请人 ：
山东师范大学
申请人地址 ：
250014山东省济南市文化东路38号
代理机构 ：
山东省高等院校专利事务所
代理人 ：
李荣升
优先权 ：
CN89106857.0
主分类号 ：
H01L21/58
IPC分类号 ：
H01L21/58 H01L23/48
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/58
半导体器件在支架上的安装
法律状态
1993-09-22 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1992-09-16 ：
授权
1992-01-15 ：
审定
1990-07-25 ：
实质审查请求
1990-07-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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