一种大功率晶体管的制造方法
专利申请的视为撤回
摘要
一种大功率晶体管的制造方法，属于半导体器件的制造工艺。本发明采用AlN、AlN加液晶高分子复合材料或莫来石等作为绝缘导热材料，双面金属化后又涂镀易焊金属，同时将晶体管管基上局部涂镀易焊金属，提高绝缘导热瓷片与金属管基和芯片间的有效浸润面积，减小了焊接空洞。本发明将绝缘导热片的上表面与芯片下电极连通的部分用拱形横担连接线与引出线连接起来。本发明提供了一种大功率晶体管的制造方法，适用于普通晶体管，选极晶体管的制作。
基本信息
专利标题 ：
一种大功率晶体管的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1077057A
申请号 ：
CN92106732.1
公开（公告）日 ：
1993-10-06
申请日 ：
1992-09-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
苗庆海张兴华王家佺张德骏李如尧
申请人 ：
山东大学
申请人地址 ：
250100山东省济南市山大南路27号
代理机构 ：
山东大学专利事务所
代理人 ：
任诠
优先权 ：
CN92106732.1
主分类号 ：
H01L21/50
IPC分类号 ：
H01L21/50 H01L23/02 H01L23/12
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
法律状态
1995-05-17 ：
专利申请的视为撤回
1993-10-06 ：
公开
1993-09-29 ：
实质审查请求的生效
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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