自旋晶体管及其制造方法
专利权的终止
摘要
本发明公开了一种自旋晶体管及其制造方法，在基板上利用光刻工艺定义所需区域，再以离子注入方式形成掺杂区，并在基板上形成磁电阻薄膜，最后可制造出发射极、基极与集电极均在同一平面的自旋晶体管。此制造方法将发射极、基极与集电极整合到单一平面上，可实现自旋晶体管微小化的目的，并且有利自旋晶体管与集成电路组件整合及后续封装。
基本信息
专利标题 ：
自旋晶体管及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1992165A
申请号 ：
CN200510132982.0
公开（公告）日 ：
2007-07-04
申请日 ：
2005-12-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
黄瀛文卢志权谢蓝青黄得瑞姚永德朱朝居
申请人 ：
财团法人工业技术研究院
申请人地址 ：
中国台湾新竹县
代理机构 ：
北京律诚同业知识产权代理有限公司
代理人 ：
梁挥
优先权 ：
CN200510132982.0
主分类号 ：
H01L21/18
IPC分类号 ：
H01L21/18 H01L29/66
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
法律状态
2017-02-22 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101705177990
IPC(主分类) : H01L 21/18
专利号 : ZL2005101329820
申请日 : 20051231
授权公告日 : 20100113
终止日期 : 20151231
号牌文件序号 : 101705177990
IPC(主分类) : H01L 21/18
专利号 : ZL2005101329820
申请日 : 20051231
授权公告日 : 20100113
终止日期 : 20151231
2010-01-13 ：
授权
2007-08-29 ：
实质审查的生效
2007-07-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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2、
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