高电压晶体管及其制造方法
授权
摘要
本发明公开一种高电压晶体管及其制造方法，该高电压晶体管包括基板，基板具有凹陷区域。掺杂区域设置在所述基板中位于所述凹陷区域的两侧。浅沟槽隔离结构设置在所述基板的所述掺杂区域中，位于所述凹陷区域的周围区域，其中所述浅沟槽隔离结构的底部在所述凹陷区域内的一部分，有往所述基板凸出的凸出部。栅极绝缘层设置在所述基板上，位于在所述凹陷区域内所述浅沟槽隔离结构以外的中心区域，其中所述栅极绝缘层有凸出部分。栅极结构设置在所述栅极绝缘层上以及在所述凹陷区域内的所述浅沟槽隔离结构上，覆盖所述栅极绝缘层的所述凸出部分。
基本信息
专利标题 ：
高电压晶体管及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110299398A
申请号 ：
CN201810239017.0
公开（公告）日 ：
2019-10-01
申请日 ：
2018-03-22
授权号 ：
CN110299398B
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
李信宏熊昌铂
申请人 ：
联华电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陈小雯
优先权 ：
CN201810239017.0
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/78 H01L21/336
法律状态
2022-04-19 ：
授权
2019-11-01 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20180322
申请日 : 20180322
2019-10-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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