半导体管芯及其制造方法
公开
摘要
本公开涉及半导体管芯及其制造方法。本申请涉及半导体管芯（1），所述半导体管芯（1）包括：在半导体本体（7）的有源区域（3）中形成的晶体管器件（2），具有沟道区（20）、栅极区（21）和场电极区（35），栅极区（21）横向布置在沟道区（20）旁边并且具有栅极电极（22）以控制沟道区（20）中的电流流动，栅极电极（22）形成在延伸到半导体本体（7）中的栅极沟槽（30）中；以及，附加器件（4），形成在半导体本体（7）的附加器件区域（5）中，其中，凹陷（50）在附加器件区域（5）中延伸到半导体本体（7）中，半导体材料（6）布置在凹陷（50）中，附加器件（4）形成在该半导体材料中。
基本信息
专利标题 ：
半导体管芯及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114335178A
申请号 ：
CN202111150537.2
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-09-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
S·维塔诺夫J·布汉达里G·埃伦特劳特C·拉纳赫尔
申请人 ：
英飞凌科技奥地利有限公司
申请人地址 ：
奥地利菲拉赫西门子大街2号
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
申屠伟进
优先权 ：
CN202111150537.2
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L21/336
法律状态
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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