一种集成电路及其晶体管器件
授权
摘要
一种集成电路及其晶体管器件，晶体管器件包括第一MOS管和第二MOS管，通过将第一MOS管的源极和第二MOS管的漏极共同形成于第一掺杂区中，且第一掺杂区与集成电路的一管脚耦接，第二MOS管的栅极、源极及衬底接地，使得第二MOS管集成于第一MOS管中且与第一MOS管串联，从而使得第二MOS管可以将管脚和第一MOS管的浪涌电流泄放到地，从而对第一MOS管和其所在的集成电路实现了ESD抑制，即本晶体管器件可不通过额外接入浪涌防护器件的方式，仅自身便可以实现ESD抑制，解决了传统的技术方案中存在无法进行ESD浪涌保护占用集成电路空间大的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种集成电路及其晶体管器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020471447.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-02
授权号 ：
CN211578754U
授权日 ：
2020-09-25
发明人 ：
方绍明戴文芳李照华
申请人 ：
深圳市明微电子股份有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区高新技术产业园南区高新南一道015号国微研发大厦三层
代理机构 ：
深圳中一联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
张全文
优先权 ：
CN202020471447.8
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02 H01L27/088 H01L21/8234
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2020-09-25 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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