具有垂直晶体管的集成电路
授权
摘要

本公开涉及具有垂直晶体管的集成电路。一种具有垂直晶体管的集成电路包括在第一方向上延伸并彼此平行地顺序排列的第一栅线至第四栅线、在第一栅线至第三栅线之上并与第二栅线绝缘的第一顶有源区、以及第二顶有源区。第一顶有源区分别与第一栅线和第三栅线形成第一晶体管和第三晶体管。第二顶有源区在第二栅线至第四栅线之上并与第三栅线绝缘。第二顶有源区分别与第二栅线和第四栅线形成第二晶体管和第四晶体管。

基本信息
专利标题 :
具有垂直晶体管的集成电路
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN108231760A
申请号 :
CN201711337186.X
公开(公告)日 :
2018-06-29
申请日 :
2017-12-14
授权号 :
CN108231760B
授权日 :
2022-05-03
发明人 :
都桢湖白尚训宋泰中郑钟勋李升映
申请人 :
三星电子株式会社
申请人地址 :
韩国京畿道
代理机构 :
北京市柳沈律师事务所
代理人 :
张波
优先权 :
CN201711337186.X
主分类号 :
H01L27/02
IPC分类号 :
H01L27/02  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2022-05-03 :
授权
2018-12-25 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/02
申请日 : 20171214
2018-06-29 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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