具有垂直浮空场板的LDMOS晶体管及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种具有垂直浮空场板的LDMOS晶体管及其制备方法，垂直浮空场板中包括浮空场板多晶硅层及叠层结构，叠层结构包括交替层叠的绝缘材料层及铁电材料层，且叠层结构的最外层及最内层均为绝缘材料层；本发明在具有较小尺寸的垂直浮空场板中，通过设置具有极化作用的铁电材料层，可使得：关态时，铁电材料层的极化作用能够增强“电荷共享”效应，以获得更高的击穿电压；通态时，铁电材料层的极化作用可在漂移区诱导更多的电子，以降低导通电阻，从而实现在提高击穿电压的同时有效降低导通电阻。
基本信息
专利标题 ：
具有垂直浮空场板的LDMOS晶体管及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114335163A
申请号 ：
CN202011064546.5
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2020-09-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
季明华李敏
申请人 ：
芯恩（青岛）集成电路有限公司
申请人地址 ：
山东省青岛市黄岛区太白山路19号德国企业南区401
代理机构 ：
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
余明伟
优先权 ：
CN202011064546.5
主分类号 ：
H01L29/40
IPC分类号 ：
H01L29/40 H01L29/78 H01L21/336
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/40
申请日 : 20200930
申请日 : 20200930
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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